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          研發與創新

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          • 2020江蘇省重點研發計劃

            課題名稱:面向5G通信應用的6英寸碳化硅上高質量氮化鎵外延生長研究

            立項時間:2020年

            重點解決6 英寸GaN 外延材料位錯密度高、翹曲度大、均勻性差和重復性差等科研與學術的關鍵難題,提高國產SiC 襯底GaN HEMT 外延材料和微波器件技術水平,形成具有自主知識產權的成套核心技術,滿足民用5G 移動通訊基站和雷達等軍民領域的爆發式增長需求。對解決關鍵材料“卡脖子”問題,擺脫受制于人的被動局面具有重要戰略意義。

            項目狀態:進行中
          • 2018江蘇省重點研發計劃

            課題名稱:藍寶石基高可靠GaN-HEMT器件制備及應用關鍵技術研發

            立項時間:2018年

            解決的問題、效益及意義:

            研制出滿足智能家電、新能源汽車等應用需求的高可靠性藍寶石基增強型GaN-HEMT器件。
            項目狀態:進行中
          • 2018江蘇省重點研發計劃

            課題名稱:大尺寸、高質量氧化鎵超寬禁帶功率半導體材料關鍵技術開發及應用

            立項時間:2018年

            解決的問題、效益及意義:

            在材料外延技術和規?;苽涔に嚪矫嫒〉藐P鍵性突破,獲得滿足功率電子器件要求的高質量、大尺寸、低成本Ga2O3外延晶圓,為我國在先進功率半導體及其電力電子器件領域的發展和實用化提供技術支撐。
            項目狀態:進行中
          • 2017國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項

            課題名稱:GaN基新型電力電子器件關鍵技術 課題GaN基功率器件雪崩擊穿效應與新型耐壓結構

            立項時間:2017年

            解決的問題、效益及意義:

            GaN基器件耐壓水平實現突破,達到國際先進水平,闡明GaN基器件的穩定性問題,找到提高器件穩定性方法;嘗試GaN基器件在電源中的應用,為推廣實用化打下基礎。
            項目狀態:已結題
          • 2016江蘇省重點研發計劃

            課題名稱:高性能增強型Si基GaN功率開關器件共性關鍵技術研發

            立項時間:2016年

            解決的問題、效益及意義:

            結合國家在節能減排和實現能源高效利用等方面的發展需求,以實現高性能增強型Si基GaN功率開關器件為目標,開展與之相關的共性關鍵技術的研發工作,實現相關的技術突破與產業化開發。
            項目狀態:已結題
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